Prodotti

Prodotti sponsorizzati

Contattaci

  • Sistema di ricottura laser per wafer
  • Sistema di ricottura laser per wafer
  • Sistema di ricottura laser per wafer
  • video

Sistema di ricottura laser per wafer

Ricottura laser ultra precisa per la produzione avanzata di chip. La distribuzione uniforme dell'energia garantisce un trattamento uniforme dei wafer. Il processo senza contatto previene danni alla superficie dei semiconduttori. La calibrazione automatica si adatta alle diverse specifiche dei wafer.
  • Le Cheng
  • Shanghai
  • Tre mesi
  • Cinquanta set entro l'anno

Caratteristiche strutturali

Il sistema di ricottura laser per wafer presenta un design modulare con sorgenti laser configurabili (308 nm/532 nm/1064 nm) e un piano mobile ad aria ad alta precisione (accuratezza di posizionamento di ±1 μm). Il sistema compatto 2 m×2 m, compatibile con le camere bianche, integra il monitoraggio della temperatura in tempo reale e la regolazione automatica della messa a fuoco per un controllo costante del processo.

Wafer Laser Annealing System

Vantaggi tecnici

  • Ricottura di precisione: densità di energia regolabile da 0,1 a 5 J/cm² con controllo della temperatura di ±1℃

  • Elevata produttività: elabora 100-500 siti al secondo (100 volte più veloce di RTP)

  • Elaborazione selettiva: consente la ricottura a livello di singolo transistor

  • Danni non termici: l'impulso ultrabreve evita il riscaldamento del substrato

  • Controllo intelligente: ottimizzazione dei parametri basata sull'intelligenza artificiale e rilevamento dei difetti

Applicazioni tipiche

  • Dispositivi logici avanzati: ricottura sorgente/drain per nodi da 7 nm/5 nm

  • 3D NAND Flash: Ricottura dei contatti per strutture di memoria verticali

  • Dispositivi di potenza: ricottura SiC/GaN per una mobilità migliorata

  • CIS Manufacturing: miglioramento delle prestazioni a livello di pixel

  • Confezionamento avanzato: ricottura di interconnessione per circuiti integrati 2.5D/3D

Dati chiave sulle prestazioni:

Parametro

Specifica

Dimensione del wafer

4-12 pollici

lunghezza d'onda

308/532/1064nm selezionabile

Densità energetica

0,1-5 J/cm²

Precisione di posizionamento

±1μm

Capacità di elaborazione

100-500 siti/sec

Controllo della temperatura

±1℃

Le avanzate capacità di controllo dei processi del sistema lo rendono ideale per la produzione di semiconduttori di nuova generazione, garantendo prestazioni superiori dei dispositivi e mantenendo al contempo elevata resa e produttività.

Le specifiche sono solo indicative. Tutte le attrezzature sono completamente personalizzabili in base alle vostre esigenze!

  • Quanto tempo passa dall'ordine dell'attrezzatura alla produzione ufficiale quando si collabora con Locsen?

    La tempistica complessiva varia a seconda delle specifiche dell'apparecchiatura e della scala della linea di produzione. Per le apparecchiature singole, i modelli standard richiedono un ciclo di produzione di 45 giorni, con una durata totale (inclusa spedizione e installazione) di circa 60 giorni. Le apparecchiature personalizzate richiedono ulteriori 30 giorni in base ai requisiti tecnici. Per soluzioni di linea complete: • Le linee di produzione da 100 MW richiedono circa 4 mesi per la pianificazione, la produzione delle apparecchiature, l'installazione e la messa in servizio • Le linee di produzione di livello GW richiedono circa 8 mesi Forniamo programmi di progetto dettagliati con responsabili dedicati, garantendo un coordinamento impeccabile. Esempio: la linea di produzione di perovskite da 1 GW di un cliente è stata completata con 15 giorni di anticipo rispetto al previsto, grazie alla produzione parallela di attrezzature e alla costruzione dell'impianto.
  • Locsen offre attrezzature e soluzioni di partnership adatte per le aziende startup di perovskite?

    Locsen offre un "Phased Partnership Program" specificamente progettato per le startup del settore della perovskite. Per la fase iniziale di ricerca e sviluppo, forniamo apparecchiature compatte su scala pilota (ad esempio sistemi di incisione laser da 10 MW) abbinate a pacchetti di processo essenziali per facilitare la convalida della tecnologia e l'iterazione del prodotto. Durante le fasi di espansione, le startup hanno diritto a vantaggi di upgrade: • I moduli principali delle apparecchiature pilota possono essere scambiati con una detrazione del valore verso macchinari della linea di produzione • Collaborazione tecnica facoltativa, incluso il supporto allo sviluppo dei processi e la condivisione dei dati sperimentali Questo programma ha consentito a numerose startup di passare agevolmente dalla produzione in laboratorio a quella pilota, riducendo al contempo i rischi di investimento nella fase iniziale.
  • Le apparecchiature di Locsen possono gestire celle solari a perovskite di diverse dimensioni? Qual è la dimensione massima supportata?

    Le apparecchiature laser di Locsen sono caratterizzate da un'eccezionale compatibilità dimensionale, in grado di elaborare celle solari in perovskite che vanno da 10 cm × 10 cm a 2,4 m × 1,2 m. Per l'elaborazione di celle di grandi dimensioni (ad esempio substrati rigidi da 12 m×2,4 m), offriamo sistemi laser personalizzati di tipo gantry con sincronizzazione multi-testa laser per garantire precisione e produttività. • Prestazioni comprovate: celle da 1,2 m×0,6 m elaborate con successo con precisione di tracciatura leader del settore (±15 μm) e uniformità (>98%) • Design modulare: i moduli ottici intercambiabili si adattano a spessori variabili (0,1-6 mm) • Calibrazione intelligente: l'allineamento del raggio in tempo reale assistito dall'intelligenza artificiale compensa la deformazione del substrato
  • Locsen fornisce soluzioni laser personalizzate per tutte le fasi chiave della produzione delle celle solari in perovskite?

    Sì, Locsen fornisce soluzioni complete di lavorazione laser che coprono l'intera filiera produttiva delle celle solari in perovskite: Marcatura laser P0: per l'identificazione delle cellule dopo la deposizione del film Scribing laser P1/P2/P3: modellazione di precisione di • Strati conduttivi trasparenti (P1) • Strati attivi di perovskite (P2) • Elettrodi posteriori (P3) Isolamento del bordo P4: rifinitura del bordo a livello di micron per prevenire cortocircuiti Moduli a celle tandem: sistemi di incisione laser dedicati per la lavorazione di strati multi-materiale Il nostro ecosistema di apparecchiature integrate garantisce che tutti i requisiti di elaborazione laser siano soddisfatti con: • Precisione di allineamento ≤20μm tra gli strati • Zona di influenza termica controllata sotto i 5μm • Piattaforme modulari a supporto della ricerca e sviluppo per la produzione su scala GW
  • Quali intervalli di tolleranza della composizione supportano gli strumenti di Locsen per le varianti di formulazione della perovskite?

    I sistemi laser di Locsen dimostrano un'eccezionale adattabilità a diverse composizioni di perovskite. • Parametri precaricati: impostazioni ottimizzate per le formulazioni tradizionali (ad esempio, FAPbI₃, CsPbI₃) nella libreria di ricette laser consentono l'accesso immediato dell'operatore • Supporto R&S: per nuove composizioni (ad esempio, perovskiti a base di Sn), il nostro team fornisce: calibrazione personalizzata della lunghezza d'onda/fluenza entro 72 ore convalida delle prestazioni che garantisce<1% PCE degradation post-processing • Smart Compensation: On-board spectroscopy modules monitor reflectivity in real-time, automatically adjusting: Pulse duration (20-500ns) Beam profile (Top-hat/Gaussian) Energy density (0.5-3J/cm²) Technical Highlights: ▸ Tolerance for ±15% stoichiometric variation in Pb:Sn ratios ▸ Support for 2D/3D hybrid phase patterning ▸ Non-contact processing avoids cross-contamination

Prodotti correlati

40px

80px

80px

80px

Ottieni un preventivo